Quantum point contact due to Fermi-level pinning and doping profiles in semiconductor nanocolumns

نویسنده

  • K. M. Indlekofer
چکیده

We show that nanoscale doping profiles inside a nanocolumn in combination with Fermi-level pinning at the surface give rise to the formation of a saddlepoint in the potential profile. Consequently, the lateral confinement inside the channel varies along the transport direction, yielding an embedded quantum point contact. An analytical estimation of the quantization energies will be given.

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

ثبت نام

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Fermi Level Control and Thermal Current Densities in Selectively Doped P-I-N Multiquantum Well Photovoltaic Structures, Under Illumination

III-V semiconductor multiquantum-well (mqw) photovoltaic devices show improved collection and transport properties when they are selectively doped. Existence of multiple quantum wells is of advantage because of (a) easier carrier collection (b) photocarrier separation (electrons vs holes) that reduces recombination and (c) of Fermi level shifting. The latter is of real advantage when the Fermi ...

متن کامل

بررسی عوامل افزایش بازده در سلول خورشیدی ناهمجنس با نقاط کوانتومی

ضخامت لایۀ­ نقاط کوانتومی و نیمه­رسانای شفاف با شکاف بزرگ، میزان ناخالصی لایۀ نقاط کوانتومیو نوع فلز آند از جمله عوامل تأثیرگذار بر بازدهِ سلول­های خورشیدی نقطۀ کوانتومی ناهمجنس (HQDSC) می­باشند. در این مقاله با استفاده از نرم­افزار کامسول نسخه 4/5، ابتدا سلولی شامل یک لایه از نقاط کوانتومی سولفید سرب (PbS) پوشیده از لیگاندهای کوتاه و یک لایه نیمه­رسانای اکسید روی (ZnO) و آندی از جنس طلا شبیه­سا...

متن کامل

The unusual mechanism of partial Fermi level pinning at metal-MoS2 interfaces.

Density functional theory calculations are performed to unravel the nature of the contact between metal electrodes and monolayer MoS2. Schottky barriers are shown to be present for a variety of metals with the work functions spanning over 4.2-6.1 eV. Except for the p-type Schottky contact with platinum, the Fermi levels in all of the studied metal-MoS2 complexes are situated above the midgap of...

متن کامل

Defective Heterojunction Models

Fermi-level pinning behavior has been observed at the free surface, oxide interface, metal interface, MBE grown surface, stop-regrown homojunction, and misfit-dislocation pinned heterojunction of GaAs. Theories of such behavior are numerous and disparate. Theories of ideal heterojunction band offsets are less diverse, but have still not converged to a single mechanism. Recent studies of heteroj...

متن کامل

Contactless electroreflectance approach to study the Fermi level position in GaInNAs/GaAs quantum wells

A fruitful approach to study the Fermi level position in GaInNAs/GaAs quantum wells QWs has been proposed in this paper. This approach utilizes contactless electroreflectance CER spectroscopy and a very simple design of semiconductor structures. The idea of this design is to insert a GaInNAs quantum well QW into a region of undoped GaAs layer grown on n-type GaAs substrate. The possible pinning...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

ثبت نام

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

عنوان ژورنال:

دوره   شماره 

صفحات  -

تاریخ انتشار 2006